据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子晶圆代工业务部门正与材料、组件及设备供应商就重启8英寸碳化硅（SiC）生产线建设展开深入磋商。相关讨论已涉及设备采购规模等具体环节，标志着这一战略项目进入实质性推进阶段。
化合物半导体被三星视为下一代增长引擎。通过将现有8英寸硅基晶圆厂改造为碳化硅/氮化镓（GaN）混合生产线，该公司既能规避新建厂房的高昂成本，又可提升设备利用率。这种技术转型策略与当前功率半导体市场需求激增形成共振，特别是在AI算力基础设施建设的推动下，碳化硅器件在高效能源转换领域的优势愈发凸显。
追溯项目发展脉络，三星设备解决方案部门自2023年起便启动碳化硅技术布局，但受存储芯片市场波动影响，商业化进程曾一度停滞。随着生成式AI引发的算力革命重塑半导体产业格局，功率半导体市场迎来爆发式增长，促使三星重新激活碳化硅研发管线。据知情人士透露，技术团队已攻克多项关键工艺难题，为规模化生产奠定基础。
根据内部规划时间表，三星计划在2027年前完成碳化硅原型生产线建设，通过12个月的试运行优化工艺参数后，将于2028年启动量产。这条采用8英寸晶圆的生产线将主要面向电动汽车、数据中心等高端市场，与现有6英寸碳化硅产线形成产品梯队。行业分析师指出，三星的入局可能打破当前碳化硅市场由少数厂商主导的格局，推动第三代半导体材料加速普及。
