美光公布路线图:2024 年推出 32Gbps 带宽的 GDDR7 显存

   时间:2023-11-10 13:58 来源:数据世界

【数据世界】11月10日消息,美光公司日前发布了其全新显存(VRAM)路线图,宣布涵盖了 GDDR7 和 HBM4E 内存技术,标志着显存领域的进一步创新和发展。

美光目前已经推出的 GDDR6X 显存具有出色的性能,最高运行带宽可达24Gbps,容量为16Gb dies,速度高达96GB/sec。然而,根据美光的路线图,未来显存领域将迎来更多革新。据数据世界了解,2024年,美光计划推出 GDDR7 显存,其运行带宽将提升至32Gbps,容量范围将达到16-24Gb die,速度将飙升至128GB/sec。更令人振奋的是,2026年,美光将推出速度更快的GDDR7显存,带宽将达到36Gbps,而容量将采用超过24Gb die,速度将高达144GB/sec。

这一消息也引发了业内对英伟达下一代 GeForce RTX 50 系列的猜测,有望使用美光的 GDDR7 显存,预计带宽将达到32Gbps。下一代 GeForce RTX 5090 显卡预计将配备512位内存总线,由于采用了更快速的GDDR7内存,内存带宽将高达1.5TB/秒,这将为图形处理提供更强劲的性能。

此外,美光还计划在2024年推出8层堆叠的AI和数据中心专用HBM3E内存,而在2024年底到2025年初,将发布容量更大的12层堆叠HBM3E内存。HBM3E内存将提供高达24GB的容量以及超过1.2TB/秒的内存带宽。较新的12层HBM3E内存同样具备1.2TB/秒的内存带宽,但容量将扩展至36GB。

随后,美光还计划在12-High和16-High堆栈上推出下一代HBM4内存,这将进一步提升容量,范围将从36GB扩展至48GB,内存带宽也将于2025年底超过1.5TB/秒。

展望未来,到2027年,HBM4E内存将在12-High和16-High堆栈中推出,容量将进一步提升至48GB至64GB,而内存带宽将达到惊人的2TB/秒,这将进一步推动数据中心和高性能计算领域的创新和发展。美光的显存技术路线图为行业带来了更多期待,未来的计算性能和数据处理速度必将得到显著提升。

 
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