【数据世界网】5月10日消息，三星半导体业务高管前几天表示，公司将用5年时间赶超台积电。为了实现这个目标，三星需要依靠先进工艺。去年6月份，三星宣布全球首发3nm GAA工艺，日前该公司又推出了第二代3nm工艺，预计在2024年量产。这次推出的是SF3工艺，相比SF4(4nm LPP)工艺，该工艺在相同功耗及晶体管密度下，速度提升22%，或者功耗降低34%，面积缩小21%。据数据世界网了解，这个提升幅度很大，但是三星并没有直接提及两代3nm工艺之间的变化。
三星的3nm工艺采用GAA晶体管技术，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。相比于台积电2nm工艺采用的保守GAA晶体管技术，三星的工艺更加激进。三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，从而展示了对于半导体技术的强大信心。
三星的路线图显示，SF3工艺预计在2024年量产，而后还会有增强版的SF3P(3GAP+)，在2025年量产。接着，三星将推出2nm节点的SF2、SF2P工艺，而在2027年，则将推出1.4nm节点的SF1.4工艺。这些规划显示出三星在半导体领域有着长期发展的计划，并希望成为领先者。
