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三星预计 2025-2026 年量产第十代 V-
NAND
闪存,直接跳到 430 层堆叠
1 月 9 日消息,据韩媒 The Elec 消息,三星将加速 3D NAND 堆叠进程,正在讨论将预计 2025-2026 年量产的第十代 V-NAND 的堆叠层数跳至 430 层级。三星此前宣布到 2030 年开发出 1000 层 V-NAND 闪存,同时,下一代 V-NAND 路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据
2023-01-09 15:55
TrendForce 集邦:供应商减产奏效,预估 2023 年第一季
NAND
Flash 均价跌幅收敛至 10~15%
1 月 7 日消息,据 TrendForce 集邦咨询研究显示,由于多数供应商已开始减产,2023 年第一季 NAND Flash 价格季跌幅将收敛至 10~15%,削价竞争也在原厂启动减产后获控制。其中,由于 NAND Flash Wafer 已近现金成本,跌幅将是最先获控制的产品;Enterprise SSD 作为
2023-01-07 09:39
Omdia:2023 年全球
NAND
市场规模将与 DRAM 相近
12 月 30 日消息,市场研究公司 Omdia 预测,明年全球 NAND 闪存市场规模为 585.13 亿美元,与 DRAM 市场(595.82 亿美元)相近。预计到 2025 年,NAND 闪存市场规模将达到 843.78 亿美元,首次超过 DRAM 市场(833.97 亿美元)。有预测称,明年(2023 年)NAND 闪存
2022-12-30 15:19
机构称三星电子晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过
NAND
闪存业务
12月14日消息,据国外媒体报道,7nm及5nm制程工艺量产时间稍晚、3nm制程工艺率先量产的三星电子,是台积电在晶圆代工领域最大的竞争对手,虽然两者在市场份额方面相距甚远,但三星电子对晶圆代工业务越来越重视。而外媒最新根据研究机构和证券公司分析师的报告
2022-12-14 15:16
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