英特尔代工近日宣布，其与荷兰光刻机巨头ASML携手完成了一项重要技术突破——首台“二代”High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的验收测试工作顺利完成。这一成果标志着半导体制造设备向更高精度、更高效率的方向迈出了关键一步。
与主要用于前期工艺研发的“一代”机型EXE:5000相比，EXE:5200B在量产适配性上实现了显著提升。该设备搭载了功率更高的EUV光源，使得单位时间内输出的光能量大幅增加，直接推动晶圆处理能力提升至每小时175片。同时，其套刻精度优化至0.7纳米，为制造更复杂的芯片结构提供了技术保障。通过引入新型晶圆存储架构，设备在长时间运行中的稳定性得到增强，有助于减少生产过程中的波动。
在另一项技术进展中，英特尔代工与比利时微电子研究中心imec在2025 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上联合展示了2DFET材料的关键工艺突破。双方合作完成了对氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀技术验证，并在12英寸试产线上成功制造出具备大马士革型顶接触结构的晶体管。这一成果为未来先进制程的晶体管设计提供了新的工艺路径。
